杏彩体育官网High-NA EUV光刻机的发展是必然的

　　光刻机听起来离我们并不是很远，但是现在却是到处都在推行自研光刻机。现在普遍的光刻机也正在迈向下一代。

　　为了能让摩尔定律能够继续延续下去，最优解就是High-NA。NA是光学系统的数值孔径，表示光线的入射角度，使用更大的NA透镜可以打印出更小的结构，比如0.55 NA 就能够实现 8nm 分辨率。

　　一方面，High-NA EUV能够减少晶圆厂的周期时间，因为单次High NA 所需的总处理量将少于多次通过 0.33 NA EUV 的总处理时间。

　　另一方面，也提高了芯片设计的灵活性，某些设计元素只能在单个掩模中实现，而High NA 为这些元素提供了改进的成像窗口。

　　更重要的是，工艺步骤的减少还能提高了芯片的产量。 从这方面来说，High-NA EUV是必然的选择。

　　根据报道，现在ASML正在探寻从0.33往0.55推进。ASML的High-NA光刻机现在已经从书面走向现实，且已经走到了构建模块和框架阶段。根据他们预测，预计首批High-NA设备（0.55NA）将于2022年下半年交付。

　　英特尔早前也表示，公司将在2025年用上High-NA光刻机，由此可以看到相关的报道是合理的。